Իգիթյան, Արսեն Սերգեյի

Մաթեմատիկա

Այս աշխատանքը նվիրված է էներգակախում չունեցող (էներգոնեզավիսիմ) մեմրիստիվ կառուցվածքների ստեղծման և դրանց էլեկտրոֆիզիկական հատկությունների ուսումնասիրությանը՝ նպատակ ունենալով զարգացնել նոր սերնդի ոչ-վոլատիլ հիշողության և նեյրոմորֆ հաշվողական համակարգերի տարրեր։ Հետազոտության շրջանակում դիտարկվում են մեմրիստորների ֆիզիկական հիմքերը՝ հիմնված դիմադրության վիճակների հիշողության էֆեկտի վրա, ինչպես նաև այն նյութագիտական լուծումները, որոնք հնարավորություն են տալիս ապահովել կայուն, վերարտադրելի և ցածր էներգածախսով աշխատանք։ Հատուկ ուշադրություն է դարձվում բարակ թաղանթային կառուցվածքների, օքսիդային նյութերի և նանոկառուցվածքային համակարգերի կիրառությանը, որոնց միջոցով հնարավոր է ստանալ վերահսկվող դիմադրական անցումներ և բարելավել սարքերի հուսալիությունը։ Աշխատությունում վերլուծվում են հոսանք-լարում բնութագրերը, հիստերեզիսի երևույթները, լիցքի տեղափոխման մեխանիզմները և անջատման/միացման դինամիկան, որոնք որոշում են մեմրիստիվ տարրերի գործունակությունը։ Միաժամանակ ուսումնասիրվում է դրանց պոտենցիալ կիրառությունը արհեստական նեյրոնային ցանցերում, որտեղ նման կառուցվածքները կարող են ծառայել որպես սինապսային տարրերի ֆիզիկական մոդելներ՝ ապահովելով բարձր խտություն և էներգաարդյունավետություն։ Աշխատության նպատակն է ձևավորել գիտական հիմք էներգոնեզավիսիմ մեմրիստիվ սարքերի նախագծման և օպտիմալացման համար՝ խթանելով նանոէլեկտրոնիկայի և նեյրոմորֆ տեխնոլոգիաների զարգացումը։