Մարգարյան, Արծրունի Վարուժանի

Մաթեմատիկա

Աշխատությունը նվիրված է (n)CdTe-(p)InSb հետերոանցման հիման վրա ստեղծված ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչների ֆիզիկական հատկությունների, աշխատանքի սկզբունքների և կիրառական հնարավորությունների հետազոտությանը։ Ուսումնասիրության հիմքում կիսահաղորդչային տարբեր նյութերի միացման արդյունքում ձևավորվող հետերոկառուցվածքն է, որի էլեկտրոնային և օպտիկական հատկությունները կարող են նպաստել ինֆրակարմիր ճառագայթման արդյունավետ հայտնաբերմանը։ Աշխատության շրջանակում ուսումնասիրվում են CdTe և InSb կիսահաղորդչային նյութերի առանձնահատկությունները, դրանց փոխազդեցությունը հետերոանցման սահմանում, էներգետիկ գոտիների կառուցվածքը, լիցքակիրների շարժը և լուսազգայունության ձևավորման ֆիզիկական մեխանիզմները։ Առանձնահատուկ ուշադրություն է դարձվում հետերոանցման կառուցվածքային և էլեկտրական պարամետրերին, քանի որ նյութերի հատկությունների և անցման որակի համապատասխանությունը էական ազդեցություն ունի ֆոտոընդունիչի աշխատանքային բնութագրերի վրա։ Հետազոտության ընթացքում դիտարկվում են ինֆրակարմիր ճառագայթման ազդեցությամբ առաջացող ֆոտոէլեկտրական երևույթները, ֆոտոսարքի զգայունությունը, մութ հոսանքը, արձագանքման առանձնահատկությունները, սպեկտրային բնութագրերը և ազդանշանի ձևավորման պայմանները։ Քննարկվում է նաև ջերմաստիճանի ազդեցությունը սարքի պարամետրերի վրա և ցածր ջերմաստիճանային աշխատանքի հնարավորությունները, որոնք կարևոր նշանակություն ունեն ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչների տեխնիկական կիրառությունների համար։ Աշխատությունը կարող է ներառել հետերոկառուցվածքների ստացման տեխնոլոգիական մոտեցումների, նյութերի հատկությունների ուսումնասիրման և ստացված նմուշների փորձարարական բնութագրման հարցեր։ Ստացված արդյունքների վերլուծությունը հնարավորություն է տալիս գնահատել նման ֆոտոընդունիչների տեխնիկական ներուժը և դրանց կիրառման նպատակահարմարությունը ինֆրակարմիր ճառագայթման գրանցման համակարգերում։ Ուսումնասիրությունը կարող է հետաքրքրել կիսահաղորդչային ֆիզիկայի, օպտոէլեկտրոնիկայի, ֆոտոնիկայի և ինֆրակարմիր տեխնոլոգիաների ոլորտներում աշխատող գիտնականներին, ինժեներներին, հետազոտողներին, դասախոսներին և համապատասխան մասնագիտություններով ուսանողներին։ Աշխատանքը համադրում է նյութագիտական, ֆիզիկական և սարքաշինական մոտեցումները՝ նպատակ ունենալով բացահայտել CdTe-InSb հետերոանցման վրա հիմնված ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչների աշխատանքի օրինաչափությունները և դրանց կատարելագործման հնարավորությունները։