Սիմոնյան, Արփինե Կորյունի

Մաթեմատիկա

Այս ուսումնասիրությունը վերաբերում է կիսահաղորդչային ֆիզիկայի և նանոտեխնոլոգիաների ոլորտին՝ կենտրոնանալով A3B5 խմբի միացությունների և Si–Ge–C համակարգի մեջ նանոկառուցվածքների ձևավորման օրինաչափությունների վերլուծությանը։ Նյութում դիտարկվում է, թե ինչպես են ատոմային շերտերի աճի պայմանները, լատիսային անհամապատասխանությունները, դիֆուզիոն գործընթացները և մակերեսային էներգիայի փոփոխությունները ազդում ինքնակազմակերպվող նանոկառուցվածքների առաջացման վրա։ Հատուկ ուշադրություն է դարձվում epitaxial աճի մեթոդներին, քվանտային կետերի և նանոլարերի ձևավորմանը, ինչպես նաև դրանց էլեկտրոնային և օպտիկական հատկությունների կախվածությանը կառուցվածքային պարամետրերից։ Աշխատությունը նաև ընդգծում է Si–Ge–C համակարգի կարևորությունը ժամանակակից միկրոէլեկտրոնիկայի և ֆոտոնիկայի համար՝ հատկապես բարձր արագությամբ և բարձր ջերմակայունությամբ սարքավորումների նախագծման համատեքստում։ Միաժամանակ քննարկվում են մոդելավորման և փորձարարական հետազոտությունների համադրությունը, որոնք թույլ են տալիս կանխատեսել նանոկառուցվածքների ձևավորման կինետիկան և օպտիմալացնել տեխնոլոգիական գործընթացները։