Հարությունյան, Գուրգեն Էդիկի

Информатика

Այս ուսումնասիրությունը վերաբերում է նանոմետրական չափերի ստատիկ հիշող սարքերի թեստավորման համար արդյունավետ ալգորիթմների մշակմանը՝ ընդգծելով միկրո և նանոէլեկտրոնիկայի ոլորտում հուսալիության ապահովման խնդիրները։ Նյութում վերլուծվում են այն հիմնական սխալների աղբյուրները, որոնք առաջանում են նանոմաշտաբում՝ ներառյալ աղմուկը, լիցքի արտահոսքը, արտադրական տատանումները և ջերմային ազդեցությունները, որոնք կարող են խաթարել հիշողության բիթերի կայունությունը։ Հատուկ ուշադրություն է դարձվում թեստավորման ալգորիթմների օպտիմալացմանը՝ նպատակ ունենալով նվազեցնել փորձարկման ժամանակը և բարձրացնել սխալների հայտնաբերման հավանականությունը՝ առանց սարքի աշխատանքի վրա լրացուցիչ ծանրաբեռնվածություն ստեղծելու։ Աշխատությունը նաև ընդգծում է մոդելավորման և սիմուլյացիայի մեթոդների կիրառությունը՝ սխալների վարքագծի կանխատեսման և թեստային վեկտորների գեներացման համար, ինչպես նաև համեմատական վերլուծություն է կատարում տարբեր թեստավորման ռազմավարությունների միջև։ Միաժամանակ դիտարկվում է նանոմետրական տեխնոլոգիաների զարգացման համատեքստում հիշող սարքերի հուսալիության աճող կարևորությունը՝ բարձր խտության ինտեգրալ համակարգերում։

Информатика

Աշխատությունը նվիրված է նանոմասշտաբային հիշողության սարքերի և համակարգերի համար ներկառուցված թեստավորման լուծումների մշակմանը՝ նպատակ ունենալով բարձրացնել հիշողության բաղադրիչների աշխատանքի հուսալիությունը, վերահսկելիությունը և արտադրական փորձարկումների արդյունավետությունը։ Հետազոտության հիմքում հիշողության սարքերի փոքրացման հետևանքով առաջացող նոր տեխնիկական խնդիրներն են, երբ նանոմասշտաբային չափերը մեծացնում են կառուցվածքային և էլեկտրական պարամետրերի տատանումների, խափանումների և արտադրական շեղումների ազդեցությունը։ Ներկառուցված թեստավորման մոտեցումը հնարավորություն է տալիս թեստավորման որոշակի գործառույթներ իրականացնել հենց սարքի կամ համակարգի ճարտարապետության ներսում՝ նվազեցնելով արտաքին չափիչ սարքավորումներից կախվածությունը և արագացնելով սխալների հայտնաբերման գործընթացը։ Աշխատանքը կարող է ուսումնասիրել հիշողության բջիջների և զանգվածների փորձարկման մեթոդները, թեստային ազդանշանների ձևավորումը, խափանումների մոդելավորումը, սխալների հայտնաբերման և ախտորոշման ալգորիթմները։ Առանձնահատուկ ուշադրություն կարող է դարձվել նանոմասշտաբային հիշողության առանձնահատկություններին՝ ներառյալ բջիջների միջև փոխազդեցությունը, կարդալու և գրելու գործընթացների անկայունությունը, տվյալների պահպանման խնդիրները, մաշվածությունը և տարբեր տեսակի ֆիզիկական խափանումները։ Հետազոտության կարևոր բաղադրիչ է ներկառուցված թեստային սխեմաների նախագծումը և դրանց ինտեգրումը հիշողության ընդհանուր ճարտարապետության մեջ՝ հաշվի առնելով տարածքային մակերեսի, էներգիայի սպառման, արագագործության և արտադրական բարդության սահմանափակումները։ Աշխատությունը կարող է ներառել նաև թեստավորման ալգորիթմների համեմատական գնահատում՝ պարզելու համար դրանց արդյունավետությունը սխալների հայտնաբերման ծածկույթի, թեստավորման ժամանակի և ապարատային ծախսերի տեսանկյունից։ Մշակվող լուծումները կարող են կիրառելի լինել տարբեր տեսակի նանոմասշտաբային հիշողության տեխնոլոգիաների և համակարգերի համար՝ նպաստելով դրանց արտադրական վերահսկողության, հուսալիության և գործառնական կայունության բարձրացմանը։ Հետազոտությունը կարևոր նշանակություն ունի ժամանակակից միկրոէլեկտրոնիկայի զարգացման համար, որտեղ հիշողության սարքերի շարունակական փոքրացումը պահանջում է թեստավորման նոր, ավելի ճկուն և ինքնաբավ մեխանիզմներ։ Աշխատանքը կարող է օգտակար լինել միկրոէլեկտրոնիկայի և նանոտեխնոլոգիայի մասնագետներին, թվային համակարգերի նախագծողներին, VLSI և EDA ոլորտների ինժեներներին, թեստավորման մասնագետներին, հետազոտողներին և համապատասխան տեխնիկական մասնագիտությունների ուսանողներին։