Մելիքյան, Գոհար Շավարշի

Технология

Աշխատանքը նվիրված է էներգաանկախ հիշողության տարրերի մշակմանը և հետազոտմանը՝ կիսահաղորդչային և ֆեռոէլեկտրական կառուցվածքների կիրառմամբ։ Հետազոտության հիմնական նպատակն է ուսումնասիրել այնպիսի հիշողության տարրերի կառուցվածքային և ֆիզիկական սկզբունքները, որոնք կարող են պահպանել գրանցված տեղեկատվությունը նույնիսկ արտաքին սնուցման բացակայության պայմաններում։ Աշխատանքի շրջանակում դիտարկվում են կիսահաղորդչային նյութերի և ֆեռոէլեկտրական շերտերի հատկությունները, դրանց փոխազդեցությունը և տեղեկատվության գրանցման ու պահպանման համար համապատասխան ֆիզիկական մեխանիզմների կիրառման հնարավորությունները։ Առանձնահատուկ ուշադրություն է դարձվում ֆեռոէլեկտրական նյութերի բևեռացման կայունությանը, արտաքին էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ դրանց վիճակի փոփոխությանը և այդ վիճակների օգտագործմանը որպես թվային տեղեկատվության պահպանման միջոց։ Կիսահաղորդչային կառուցվածքների հետ նման նյութերի համադրումը հնարավորություն է տալիս ձևավորելու հիշողության տարրեր, որոնց աշխատանքային բնութագրերը կարող են ներառել արագ գրանցում, ցածր էներգասպառում, բազմակի վերագրանցման հնարավորություն և տեղեկատվության երկարատև պահպանում։ Աշխատանքում կարող են ուսումնասիրվել հիշողության տարրերի էլեկտրական բնութագրերը, շեմային պարամետրերը, գրանցման և ջնջման գործընթացները, տեղեկատվության պահպանման կայունությունը, ցիկլային դիմացկունությունը և ջերմաստիճանի ազդեցությունը։ Կարևոր ուղղություն է նաև կառուցվածքային պարամետրերի և տեխնոլոգիական պայմանների օպտիմալացումը՝ սարքերի հուսալիությունն ու աշխատանքային արդյունավետությունը բարձրացնելու նպատակով։ Հետազոտությունը կարող է ներառել ինչպես տեսական մոդելավորում, այնպես էլ փորձարարական ուսումնասիրություններ, որոնց միջոցով գնահատվում են մշակված տարրերի հիմնական տեխնիկական և ֆիզիկական ցուցանիշները։ Էներգաանկախ հիշողության տեխնոլոգիաների զարգացումը կարևոր է ժամանակակից միկրոէլեկտրոնիկայի համար, քանի որ դրանք կիրառելի են համակարգիչների, ներկառուցված համակարգերի, շարժական սարքերի, արդյունաբերական ավտոմատացման և այլ թվային սարքավորումների մեջ, որտեղ անհրաժեշտ է տեղեկատվության պահպանում առանց մշտական սնուցման։ Աշխատանքը կարող է նպաստել նոր սերնդի հիշողության սարքերի կառուցվածքային և տեխնոլոգիական լուծումների կատարելագործմանը՝ միաժամանակ համադրելով կիսահաղորդչային և ֆեռոէլեկտրական նյութերի առավելությունները։ Այն կարող է հետաքրքրել միկրոէլեկտրոնիկայի ինժեներներին, կիսահաղորդչային ֆիզիկոսներին, նյութագետներին, էլեկտրոնային սարքերի մշակմամբ զբաղվող մասնագետներին, հետազոտողներին և համապատասխան տեխնիկական ուղղությունների ուսանողներին։