Ղուկասյան, Տիգրան Կարենի

Մաթեմատիկա

Սույն ուսումնասիրությունը նվիրված է կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների օպտիկական հատկությունների ուսումնասիրմանը՝ էլեկտրոն-ֆոնոն փոխազդեցության ազդեցությունը հաշվի առնելով, ինչը կարևոր է նանոկենսաբանական, քվանտային էլեկտրոնիկայի և օպտոէլեկտրոնային սարքերի նախագծման համար։ Աշխատությունը վերլուծում է նանոկառուցվածքների էներգետիկ սպեկտրի ձևավորումը, լույսի կլանումն ու արտացոլումը, էլեկտրոնների և ֆոնոնների միջմոլեկուլային փոխազդեցության ազդեցությունը ճառագայթման ինտենսիվության, սրության և շերտերի պարամետրերի վրա։ Հատուկ ուշադրություն է դարձվում օպտիկական անցումների ուժի փոփոխություններին, եռաչափ կոնֆորմացիաների ազդեցությանը և արտաքին դաշտերի դերին՝ կառուցվածքային և ֆիզիկական պայմաններում էլեկտրոն-ֆոնոն փոխազդեցության գնահատման նպատակով։ Ուսումնասիրությունը ներառում է թե տեսական մոդելավորում, թե փորձարարական մեթոդների կիրառություն՝ հնարավորություն տալով ճշգրիտ կանխատեսել նանոկառուցվածքների օպտիկական պատասխանները։ Աշխատությունը կարևոր է ֆիզիկոսների, նանոտեխնոլոգների և նյութաբանների համար՝ նպաստելով կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների բնութագրերի խորը ուսումնասիրմանը և նոր դարաշրջանի օպտոէլեկտրոնային սարքերի ստեղծմանը։