Հեղինակի գրքերը (1)
Մաթեմատիկա
Влияние особенностей экранирования электрического поля на контактные явления и на распределение неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах
Աշխատությունը նվիրված է կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում էլեկտրական դաշտի էկրանավորման առանձնահատկությունների ազդեցության ուսումնասիրությանը՝ կոնտակտային երևույթների և ոչ հավասարակշռային լիցքակիրների տարածական բաշխման օրինաչափությունների բացահայտման նպատակով։ Քննարկվում են կիսահաղորդիչների էլեկտրոնային հատկությունները, նանոչափային համակարգերում լիցքակիրների վարքագիծը, էլեկտրաստատիկ փոխազդեցությունները և էլեկտրական դաշտի էկրանավորման ֆիզիկական մեխանիզմները։ Առանձնահատուկ ուշադրություն է դարձվում նանոկառուցվածքների չափային սահմանափակումների, մակերևութային վիճակների, լիցքակիրների կոնցենտրացիայի և նյութերի դիէլեկտրական հատկությունների ազդեցությանը էլեկտրական դաշտի բաշխման վրա։ Ուսումնասիրվում են մետաղ-կիսահաղորդիչ և կիսահաղորդիչ-կիսահաղորդիչ սահմանային շերտերում առաջացող կոնտակտային երևույթները, պոտենցիալային արգելքների ձևավորումը, էներգետիկ գոտիների ծռումը և լիցքերի վերաբաշխման առանձնահատկությունները։ Անդրադարձ է կատարվում ոչ հավասարակշռային էլեկտրոնների և խոռոչների առաջացման, տեղափոխման, դիֆուզիայի, դրեյֆի և ռեկոմբինացիայի գործընթացներին, ինչպես նաև արտաքին էլեկտրական դաշտերի և կոնտակտային պայմանների ազդեցությանը դրանց տարածական բաշխման վրա։ Կարևորվում են էլեկտրական դաշտի էկրանավորման և լիցքակիրների փոխազդեցությունների տեսական նկարագրության մեթոդները, ինքնահամաձայնեցված էլեկտրաստատիկ հաշվարկները և կիսահաղորդչային համակարգերի ֆիզիկական պարամետրերի գնահատումը։ Դիտարկվում են նաև քվանտային չափային էֆեկտների, նանոկառուցվածքների երկրաչափական առանձնահատկությունների և սահմանային պայմանների ազդեցությունները էլեկտրոնային տեղափոխման ու կոնտակտային բնութագրերի վրա։ Հետազոտության շրջանակում կարող են կիրառվել Պուասոնի հավասարման, լիցքակիրների տեղափոխման հավասարումների և թվային մոդելավորման մեթոդների վրա հիմնված մոտեցումներ՝ ուսումնասիրվող երևույթների փոխկապակցվածությունը բացահայտելու համար։ Աշխատությունը կարևոր նշանակություն ունի կիսահաղորդչային նանոֆիզիկայի, միկրո- և նանոէլեկտրոնիկայի, էլեկտրոնային բաղադրիչների նախագծման և նոր սերնդի կիսահաղորդչային սարքերի բնութագրերի կատարելագործման համար։ Այն կարող է օգտակար լինել ֆիզիկոսների, նանոտեխնոլոգիաների մասնագետների, էլեկտրոնիկայի ճարտարագետների, նյութագետների և համապատասխան մասնագիտությունների ուսանողների համար։
Թարմացվել է՝ 2026-10-15